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材料科学与工程学报, 2017, 35(2): 173-186.
10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2017.02.001
硼掺杂球磨SiGe合金的热电性能

徐璟 1, , 赵新兵 2, , 朱铁军 3, , 何旭昭 4,

1.浙江大学材料科学与工程学院,浙江杭州,310027;
2.浙江大学材料科学与工程学院,浙江杭州,310027;
3.浙江大学材料科学与工程学院,浙江杭州,310027;
4.浙江大学材料科学与工程学院,浙江杭州,310027
SiGe合金热电材料作为一种传统的高温热电材料一直以来受到广泛关注.本研究通过B在球磨SiGe合金中的P型掺杂,有效增加了材料的载流子浓度,优化材料的电学性能.通过球磨降低材料的晶粒尺寸,增强晶界对声子的散射,降低材料的晶格热导率.另外,B掺杂使点缺陷散射和载流子-声子散射得到增强,材料的晶格热导率进一步降低.在室温时,Si0.Ge0.2B0.04的晶格热导率为～4Wm-1K-1.由于掺杂后电导率提高,热导率降低,因此热电优值zT得到了提高.在850K时,Si0.Ge0.2B0.04的最大热电优值为0.42,与Si0.Ge0.2B0.002的样品相比,其优值提高了2.5倍左右.
引用： 徐璟, 赵新兵, 朱铁军, 何旭昭 硼掺杂球磨SiGe合金的热电性能. 材料科学与工程学报, 2017, 35(2): 173-186. doi: 10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2017.02.001
参考文献：

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